| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 | |
| 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠 | |
| 2018-12-14 | |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 专利号 | CN109003888A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体的技术领域，公开了硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法。方法为：(1)Si衬底清洗；(2)在Si衬底上制备石墨烯层；(3)采用分子束外延法在Si衬底的石墨烯上于900～1100℃高温生长GaN纳米柱；(4)采用分子束外延法，将步骤(3)的GaN纳米柱在650～800℃低温下继续进行生长。硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱，从下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、GaN纳米柱。本发明的GaN纳米柱直径均匀、有序性高，具有低缺陷密度和高晶体质量，能够提高器件的载流子辐射复合效率，氮化物器件的发光效率以及光解水制氢效率。本发明的制备方法简单，生产周期短。 |
| 公开日期 | 2018-12-14 |
| 申请日期 | 2018-07-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,高芳亮,余粤锋,等. 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法. CN109003888A. 2018-12-14. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论