| 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 | |
| 张保平; 许荣彬; 梅洋; 徐欢; 应磊莹; 郑志威 | |
| 2018-09-11 | |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 专利号 | CN108521075A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。 |
| 公开日期 | 2018-09-11 |
| 申请日期 | 2018-04-10 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92239]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,许荣彬,梅洋,等. 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器. CN108521075A. 2018-09-11. |
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