| 一种单片硅基发射器 | |
| 冯朋; 肖希; 王磊; 陈代高; 余少华 | |
| 2018-06-19 | |
| 著作权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 专利号 | CN108183390A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种单片硅基发射器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种单片硅基发射器，涉及硅光子与光电子集成领域。该发射器包括：一个集成到硅基平台的激光器；一个形成于硅波导端面的尖端模斑匹配器；一个作为MZI调制器输入端的硅波导双锥分束器，该硅波导双锥分束器与尖端模斑匹配器相连；两个分别形成于MZI调制器两臂上的热电极和/或两个分别形成于MZI调制器两臂上的高频电极；一个形成于MZI调制器输出端后面的MMI分束器，该MMI分束器分出有两个输出端口；以及一个形成于硅基平台，且与MMI分束器其中一个输出端口连接的背光探测器。本发明不但实现了激光器与调制器在硅基平台单片集成，而且制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产。 |
| 公开日期 | 2018-06-19 |
| 申请日期 | 2017-12-26 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92217]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯朋,肖希,王磊,等. 一种单片硅基发射器. CN108183390A. 2018-06-19. |
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