| 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 | |
| 张晶; 祝子翔; 乔忠良; 高欣; 薄报学; 李辉; 王宪涛; 魏志鹏; 马晓辉; 孙春明 | |
| 2018-02-16 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN107706740A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 |
| 英文摘要 | 一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F‑P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀形状没有过多要求，仅需要穿过整个外延层可达到良好的光吸收效果。 |
| 公开日期 | 2018-02-16 |
| 申请日期 | 2017-09-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晶,祝子翔,乔忠良,等. 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法. CN107706740A. 2018-02-16. |
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