| 一种高速激光器芯片 | |
| 罗飚; 刘应军; 王任凡; 汤宝 | |
| 2015-11-18 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN105071221A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高速激光器芯片 |
| 英文摘要 | 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。 |
| 公开日期 | 2015-11-18 |
| 申请日期 | 2015-08-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92063]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗飚,刘应军,王任凡,等. 一种高速激光器芯片. CN105071221A. 2015-11-18. |
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