一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 | |
隋少帅; 黄永箴; 唐明英; 杨跃德; 肖金龙; 杜云 | |
2015-12-09 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN105140778A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 一种多边形-环硅基激光器,包括:一带有波导结构的SOI片;一键合层,位于所述SOI片之上;一半导体多边形-环谐振腔,位于所述键合层之上;其中,所述键合层用于将半导体多边形-环谐振腔和所述SOI片连接在一起,使得所述半导体多边形-环谐振腔中产生的激光耦合到所述SOI片中的波导结构中输出。以及一种多边形-环硅基激光器的制造方法。本发明的硅基激光器结合了硅基微腔激光器低阈值和硅基FP腔激光器耦合长度长的优点,可以同时实现低阈值和高输出功率。 |
公开日期 | 2015-12-09 |
申请日期 | 2015-10-15 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91983] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 隋少帅,黄永箴,唐明英,等. 一种多边形-环硅基激光器及其制备方法. CN105140778A. 2015-12-09. |
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