| 半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统 | |
| 长谷川英明; 横内则之; 泽村壮嗣; 入野聪; 吉田顺自 | |
| 2016-08-31 | |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 专利号 | CN105917534A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统 |
| 英文摘要 | 在半导体激光装置的设计方法中，通过控制从输出侧反射单元到第二反射单元的距离、和用包含半导体激光元件中的光的环绕时间τ、输出侧反射单元的反射率R1以及第二反射单元的反射率R2的κ＝(1/τ)×(1‑R1)×(R2/R1)1/2的式定义的向半导体激光元件的有效的返回光量κ，来使LFF周期成为20ns以下，选择该LFF周期成为20ns以下的半导体激光装置，作为出现FBG模式和FP模式的高速切换的半导体激光装，作为在相干崩溃模式下进行振荡的半导体激光装置使用。 |
| 公开日期 | 2016-08-31 |
| 申请日期 | 2014-12-04 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91535]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 长谷川英明,横内则之,泽村壮嗣,等. 半导体激光装置的设计方法、拉曼放大器的设计方法、半导体激光装置的制造方法、半导体激光装置、拉曼放大器、以及光通信系统. CN105917534A. 2016-08-31. |
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