一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
宁永强; 张祥伟; 秦莉; 刘云; 王立军
2012-11-28
著作权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利号CN102801107A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
英文摘要本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,垂直腔面发射激光器包括n面电极、GaAs衬底、缓冲层、n型DBR层、氧化限制层、有源区、钝化层、p型DBR层、欧姆接触层。本发明的垂直腔面发射激光器及其制作方法,通过把氧化限制层通过一定工艺来把圆形的氧化层氧化成非圆形,以此来打破电流的各向同性注入,通过引入各向异性的电流注入到有源区来实现两个相互正交的偏振光的偏振控制。另外,本发明的垂直腔面发射激光器结构制造工艺简捷、重复性好,容易推广。
公开日期2012-11-28
申请日期2012-08-08
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91387]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
宁永强,张祥伟,秦莉,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN102801107A. 2012-11-28.
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