| 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 | |
| 曾畅; 张书明; 刘建平; 王辉; 冯美鑫; 李增成; 王怀兵; 杨辉 | |
| 2011-12-28 | |
| 著作权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 专利号 | CN102299482A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2011-07-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91293]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾畅,张书明,刘建平,等. 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法. CN102299482A. 2011-12-28. |
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