半导体激光二极管及其封装方法 | |
周坤; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 冯美鑫; 李增成; 王怀兵; 杨辉 | |
2015-03-18 | |
著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
专利号 | CN104426050A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光二极管及其封装方法 |
英文摘要 | 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片,所述封装方法包括步骤:a)将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上,并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上;b)将防静电元件设置在管座之上,并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极;c)在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座,以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件,在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放,同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作,提高了半导体激光二极管的防静电能力。 |
公开日期 | 2015-03-18 |
申请日期 | 2013-09-03 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90943] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周坤,李德尧,张书明,等. 半导体激光二极管及其封装方法. CN104426050A. 2015-03-18. |
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