| 一种硅基纳米激光器制备方法 | |
| 王兴军; 王胜铭; 许超; 叶蕊; 张哲炜; 周治平 | |
| 2015-02-18 | |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 专利号 | CN104362512A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种硅基纳米激光器制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域，尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括：原料制备；放入煅烧炉，并通入气体；煅烧生长纳米线；制备纳米线酒精溶液，并得到硅基纳米激光器。本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料，制备硅基纳米激光器的方法。采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益，以及较低的泵浦阈值。 |
| 公开日期 | 2015-02-18 |
| 申请日期 | 2014-10-13 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王兴军,王胜铭,许超,等. 一种硅基纳米激光器制备方法. CN104362512A. 2015-02-18. |
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