| 一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法 | |
| 常江; 李庭宇; 周日凯; 付永安; 孙莉萍 | |
| 2017-06-20 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN106877169A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法。其中结构包括SOI衬底、三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导，所述三五族有源区波导的出光口与所述硅波导的进光口耦合，所述硅波导的出光口与所述聚合物波导的进光口耦合；所述聚合物波导的出光口与所述激光器的出光口耦合。本发明实施例可以实现激光器的热不敏感，温度变化时，激光器光波长稳定不变，不需要额外使用TEC来控温，能大大降低模块的功耗，实现相同封装方式下更多路光通道的封装，本发明实施例中激光器制作在SOI上，芯片发光可以直接进入光波导中传输，不需要额外进行耦合，利于集成与批量生产。 |
| 公开日期 | 2017-06-20 |
| 申请日期 | 2017-03-31 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90688]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常江,李庭宇,周日凯,等. 一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法. CN106877169A. 2017-06-20. |
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