| 一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法 | |
| 吴瑞华; 刘建军; 唐琦 | |
| 2014-04-09 | |
| 著作权人 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 专利号 | CN103715606A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法，包括的步骤是生长前对MOCVD反应室烘烤与清洗；将InP衬底片在低压MOCVD反应室；该MOCVD反应室压力设置在20mbar至100mbar之间，采用PH3砷烷作为反应及保护气体，金属有机物MO源为TMIn和TMGa或TEGa、P型掺杂源DMZn或DEZn采用氢气载气带入反应室，生长在550-750℃之间，藉此完成多量子阱结构材料的外延生长；关闭载气，金属有机物和保护气体将反应室降温，充入氮气并将反应室升压，以及将晶片从反应室中取出，藉由前述步骤，实现了该量子阱外延生长方法，从而达成了环保、简易、缩短生产周期以及产品稳定性强的良好效果。 |
| 公开日期 | 2014-04-09 |
| 申请日期 | 2013-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴瑞华,刘建军,唐琦. 一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法. CN103715606A. 2014-04-09. |
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