硅基电注入激光器及其制备方法 | |
王梦琦; 李稚博; 周旭亮; 李亚节; 王鹏飞; 潘教青 | |
2017-08-18 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN107069430A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 硅基电注入激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 一种硅基电注入激光器及其制备方法,该制备方法包括:在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层,并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽;腐蚀绝缘硅衬底,在与第一矩形槽相对应的位置,形成与第一矩形槽等宽的V型槽;在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构;腐蚀去除SiO2层的剩余部分,完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺,不易产生缺陷及反相畴,并可大大降低缓冲层的厚度,因此器件的总体厚度小,降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。 |
公开日期 | 2017-08-18 |
申请日期 | 2017-04-18 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90471] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王梦琦,李稚博,周旭亮,等. 硅基电注入激光器及其制备方法. CN107069430A. 2017-08-18. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论