| 半导体发光元件 | |
| 藏本恭介 | |
| 2006-05-24 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN1776927A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 提供一种不产生向GaN衬底进行光渗出、以及发生n型覆盖层的破裂或位错的问题，且垂直方向的FFP(远场图样)全半高宽较小的半导体发光元件。具有在n型覆盖层(3)和p型覆盖层(10)之间夹持了活性层(6)的结构的半导体发光元件中，使用Al组成比x为0.01≤x＜0.06的AlxGa1－xN层(AlGaN)层作为n型覆盖层。当Al组成比x小于0.06时，由于AlGaN层的折射率变大，所以可以使垂直方向的NFP(近场图样)变宽，使垂直方向的FFP的全半高宽减小。此外，当Al组成比变小时，由于与GaN衬底的晶格不匹配变小，所以可以不产生破裂和位错问题而厚厚地形成AlGaN层，并可以抑制向GaN衬底的光渗出。 |
| 公开日期 | 2006-05-24 |
| 申请日期 | 2005-11-07 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90360]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藏本恭介. 半导体发光元件. CN1776927A. 2006-05-24. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论