| 発光素子 | |
| 重田 淳二; 篠田 和典 | |
| 2000-09-22 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP2000261088A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】大出力発光素子の放熱特性を改善し、出力特性を改善する。従来は表面電極は発熱部に近いが、裏面電極は基板裏面に形成されるため発熱部から遠く、放熱への寄与が少なかった。 【解決手段】半導体基板1にエピタキシャル成長層2〜7を形成し、その上下に上面電極8及び裏面電極9を設けた半導体レーザにおいて、少なくとも成長層のの発熱領域10に対応する部分の裏面電極9を半導体基板1を通過して成長層2に届く位置に形成する。 【効果】発熱で制限されていた最大光出力を改善出来る。また実装の容易なジャンクションアップ法でもジャンクションダウン法と同等の放熱が得られる。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88908]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 重田 淳二,篠田 和典. 発光素子. JP2000261088A. 2000-09-22. |
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