| 光半導体素子およびその製造方法 | |
| 北村 光弘; 佐々木 達也; 阪田 康隆 | |
| 1998-08-14 | |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 专利号 | JP2814906B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 バンドギャップエネルギー(Eg )の異なるMQW構造を有する光導波領域を導波路方向で集積した半導体光集積回路をMOVPE選択成長を用いて形成する場合に、半導体のエッチングを用いないというMOVPE選択成長の特徴を活かしたままで、Eg 差の拡大を実現する。 【構成】 MQW層5は、Eg の小さな領域では絶縁膜ストライプマスクを用いて選択的に形成し、Eg の大きな領域では全面に形成する。クラッド層7は、両方の領域に形成したストライプマスクを用いて、Eg の小さな領域ではMQW構造を覆うように、またEg の小さな領域ではリッジ導波路構造となるようにそれぞれ選択的に形成する。 【効果】 半導体のエッチングを用いることなくEg 差を拡大でき、素子特性を改善できる。また曲線光導波路との集積も可能となる。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88704]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 光弘,佐々木 達也,阪田 康隆. 光半導体素子およびその製造方法. JP2814906B2. 1998-08-14. |
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