单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器

	单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器
	林煌丁 2; 刘相志 1; 方浩 1; 周全 1; 张恩亮 1; 严鑫 2; 冷重钱1 ; 张风燕 2
刊名	功能材料
	2018
卷号	049 期号:006 页码:6163
ISSN号	1001-9731
英文摘要	采用单靶磁控溅射法制备了铜锌锡硫（CZTS）薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱（Raman）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-Vis-NIR）和扫描电镜（SEM）分别对CZTS薄膜的物相结构、光学性能以及表面形貌进行表征，结果表明，退火后的CZTS薄膜具有单一相的锌黄锡矿结构、适合的禁带宽度（1.51 eV）以及平整致密的表面形貌。通过制备CZTS/n-Si异质结光电探测器，光电性能测试显示，器件在450，635和980 nm波长的光源下均具有良好的光伏效应。在0 V偏压，功率密度为3 mW/cm 2的980 nm光源照射条件下，器件的响应的上升时间（ τ r）和下降时间（ τ d）分别为 τ r=41 ms， τ d=126 ms，电流开关比为434.9。CZTS/n-Si异质结结构有利于提高载流子的分离效率，比纯n-Si探测器与纯CZTS探测器具有更大的电流开关比，为低成本、高性能及环境友好光电探测器提供新方案。
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/9467]
专题	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
作者单位	1.中国科学院重庆绿色智能技术研究院 2.厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	林煌丁,刘相志,方浩,等. 单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器[J]. 功能材料,2018,049(006):6163.
APA	林煌丁.,刘相志.,方浩.,周全.,张恩亮.,...&张风燕.(2018).单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器.功能材料,049(006),6163.
MLA	林煌丁,et al."单靶磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其异质结光电探测器".功能材料 049.006(2018):6163.