InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究

doi:10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.008

CORC > 上海技术物理研究所 > 中国科学院上海技术物理研究所 > 上海技物所

	InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究
	许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
刊名	红外与毫米波学报
	2019
卷号	38 期号:2 页码:171-174
关键词	电感耦合等离子刻蚀 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面
DOI	10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.008
英文摘要	报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子（ICP）组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。
WOS记录号	WOS:467803100008
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.127.2.71:8080/handle/181331/12365]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	许佳佳,黄敏,徐庆庆,等. InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究[J]. 红外与毫米波学报,2019,38(2):171-174.
APA	许佳佳,黄敏,徐庆庆,徐志成,&王芳芳.(2019).InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究.红外与毫米波学报,38(2),171-174.
MLA	许佳佳,et al."InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究".红外与毫米波学报 38.2(2019):171-174.