用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能

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	用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能
	张栋 ; 柯培玲 ; 汪爱英 ; 王香勇 ; 智理
刊名	材料研究学报
	2019-06-25
卷号	33 期号:06 页码:467-474
英文摘要	用PECVD技术制备氧化硅薄膜,研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响,探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。结果表明,在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构,在380～780 nm波长范围内透光率高达90%～98%,但是薄膜的结构疏松,硬度仅为2 GPa。提高制备温度可使薄膜硬度提高至6 GPa,但是透光率略有降低;在阴极位置生成的薄膜具有无机氧化硅复合非晶碳结构,薄膜结构致密,硬度可达15 GPa,但是在380～780 nm波长范围内透光性差;增加O2反应气体可促使碳与氧反应生成二氧化碳,非晶碳结构消失,薄膜透光率提高到99%,但是硬度降低到9 GPa。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/17655]
专题	2019专题
作者单位	1.中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室浙江省海洋材料与防护技术重点实验室 2.宁波中骏森驰汽车零部件股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张栋,柯培玲,汪爱英,等. 用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能[J]. 材料研究学报,2019,33(06):467-474.
APA	张栋,柯培玲,汪爱英,王香勇,&智理.(2019).用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能.材料研究学报,33(06),467-474.
MLA	张栋,et al."用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能".材料研究学报 33.06(2019):467-474.