激光二极管装置 | |
艾尔弗雷德·莱尔; 森克·陶茨; 乌韦·施特劳斯; 克莱门斯·菲尔海利希 | |
2015-12-30 | |
著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
专利号 | CN105207052A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 激光二极管装置 |
英文摘要 | 本发明提出一种激光二极管装置,具有:壳体(1),其具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的装配件(11),装配件沿着延伸方向(110)远离壳体部件(10)延伸;以及在装配件(11)上的激光二极管芯片(2),激光二极管芯片在衬底(20)上具有带用于辐射光的有源层(23)的半导体层(21、22、23、24),其中在激光二极管芯片(2)和装配件(11)之间设有第一焊料层(3),第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度,并且激光二极管芯片(2)具有辐射耦合输出面(27),在辐射耦合输出面(27)上施加有结晶保护层(6)。 |
公开日期 | 2015-12-30 |
申请日期 | 2013-03-19 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82267] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾尔弗雷德·莱尔,森克·陶茨,乌韦·施特劳斯,等. 激光二极管装置. CN105207052A. 2015-12-30. |
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