一种半导体激光器及其制备方法
张新; 朱振; 徐现刚
2016-04-27
著作权人山东华光光电子股份有限公司
专利号CN105529614A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种半导体激光器及其制备方法
英文摘要本发明涉及一种半导体激光器及其制备方法,包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层、接触层,所述接触层上设有下凹的图形。原有接触层上表面平滑,本发明接触层上设有下凹的图形,接触层上表面面积大于原有接触层的上表面平面面积,增加了接触层的散热面积,使得接触电阻较小并且电压稳定,提高了可靠性。
公开日期2016-04-27
申请日期2016-02-18
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79686]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张新,朱振,徐现刚. 一种半导体激光器及其制备方法. CN105529614A. 2016-04-27.
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