一种半导体激光器及其制备方法 | |
张新; 朱振; 徐现刚 | |
2016-04-27 | |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
专利号 | CN105529614A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器及其制备方法,包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层、接触层,所述接触层上设有下凹的图形。原有接触层上表面平滑,本发明接触层上设有下凹的图形,接触层上表面面积大于原有接触层的上表面平面面积,增加了接触层的散热面积,使得接触电阻较小并且电压稳定,提高了可靠性。 |
公开日期 | 2016-04-27 |
申请日期 | 2016-02-18 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79686] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张新,朱振,徐现刚. 一种半导体激光器及其制备方法. CN105529614A. 2016-04-27. |
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