一种新型半导体激光器 | |
王昱玺; 刘拓; 陈发涛; 潘彦廷; 王志强; 冯旭超; 陈怡婷; 马梦婕; 孙娟娟 | |
2018-01-09 | |
著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
专利号 | CN206864864U |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 一种新型半导体激光器 |
英文摘要 | 本实用新型公开了一种新型半导体激光器,包括激光器本体以及分别镀覆在激光器本体两端高反射膜和减反射膜,高反射膜和减反射膜与激光器本体之间还设置有一层镀覆在激光器端面的密封膜。本实用新型对传统半导体腔面镀膜结构的优化,通过在激光器的端面镀一层密封膜于半导体端面,特别是Al膜,Al膜能够与半导体端面进行更好的结合,从而进行防氧化保护,避免半导体的端面氧化导致的端面堆积热能,进而避免了热能堆积所带来的可靠性问题。 |
公开日期 | 2018-01-09 |
申请日期 | 2017-06-12 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73211] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王昱玺,刘拓,陈发涛,等. 一种新型半导体激光器. CN206864864U. 2018-01-09. |
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