| 分布帰還型半導体レーザ | |
| 西谷 昭彦; 東盛 裕一 | |
| 1999-07-21 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP1999195838A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】分布帰還型半導体レーザにおいて、軸方向空間ホールバーニングが生じないようにする。 【解決手段】素子内部に利得結合型の回折格子層7を形成する。一方の端面に高反射膜13を他方の端面に反射防止膜12を形成する。回折格子層7は、共振器長方向で周期の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域の周期C1を反射防止膜12面側の周期C2より長くする。回折格子層7は、また、共振器長方向でデューティ比の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域のデューティ比(W1/C1)を反射防止膜12面側のデューティ比(W2/C2)より小さくする。 |
| 公开日期 | 1999-07-21 |
| 申请日期 | 1998-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71420]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西谷 昭彦,東盛 裕一. 分布帰還型半導体レーザ. JP1999195838A. 1999-07-21. |
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