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	Semiconductor laser element and production of the same
	TANAKA TOSHIAKI; MINAGAWA SHIGEKAZU
	1992-05-19
著作权人	HITACHI LTD
专利号	JP1992145680A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	Semiconductor laser element and production of the same
英文摘要	PURPOSE:To improve reliability under a high temperature condition by selecting a crystal wafer having the lattice constant ratio of active layer for substrate within the particular range to produce an element. CONSTITUTION:When lattice constants of a semiconductor substrate, semiconductor optical waveguide layer and semiconductor light emitting active layer are respectively set to a1, a2 and a3, these are in the following relationships, a1
公开日期	1992-05-19
申请日期	1990-10-08
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67838]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA TOSHIAKI,MINAGAWA SHIGEKAZU. Semiconductor laser element and production of the same. JP1992145680A. 1992-05-19.

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