| 半導体面発光素子 | |
| 斉藤 信雄; 山賀 睦夫; 藤本 勲; 小林 規矩男; 山本 悌二; 稲井 誠 | |
| 1994-04-08 | |
| 著作权人 | 日本放送協会 |
| 专利号 | JP1994097564A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体面発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 構造が簡単で、製造工程が単純であり、かつ素子作製に関する制約の少ない半導体面発光素子を提供する。 【構成】 段差を有するIII-V族化合物半導体基板上に、分子線エピタキシー(MBE)法により、両性不純物のIV族元素(C、Si、Geなど)をドープしたIII-V族化合物半導体を形成し、III-V族半導体基板の平坦面領域がn型で、段差の斜面領域がp型(または絶縁性)であるような電流閉じ込め構造で活性層を取り囲む。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本放送協会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 信雄,山賀 睦夫,藤本 勲,等. 半導体面発光素子. JP1994097564A. 1994-04-08. |
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