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	P-n device having an epitaxial multilayer structure
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	1980-04-10
著作权人	PHILIPS NV
专利号	GB2030767A
国家	英国
文献子类	发明申请
其他题名	P-n device having an epitaxial multilayer structure
英文摘要	A method is provided of manufacturing, on a substrate of a binary compound, layers of ternary or quaternary compounds in which epitaxial intermediate layers separate the substrate from the end layer, wherein the relative increase of the dimensions of the crystal lattices in the successive epitaxial intermediate layers increases.
公开日期	1980-04-10
申请日期	1979-09-05
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66042]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	PHILIPS NV
推荐引用方式 GB/T 7714	-. P-n device having an epitaxial multilayer structure. GB2030767A. 1980-04-10.

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