| 红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺 | |
| 王昱玺; 刘拓 | |
| 2016-12-07 | |
| 著作权人 | 陜西源杰半导体技术有限公司 |
| 专利号 | CN106207744A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺 |
| 英文摘要 | 本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明的红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，利用化学特性稳定的Ta2O5和SiO2实现半导体激光器抗反射膜层的镀膜，实现极佳的抗反射薄膜特性，因本发明所选镀膜材料在镀膜过程中均具有稳定的化学性能，保证了镀膜的镀率稳定以及光折射率稳定，使镀膜结果与理论设计一致，进而提升产品可靠性。 |
| 公开日期 | 2016-12-07 |
| 申请日期 | 2016-08-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64977]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陜西源杰半导体技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王昱玺,刘拓. 红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺. CN106207744A. 2016-12-07. |
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