| 半導体光結合回路及びその製造方法 | |
| 吉本 直人; 川口 悦弘; 奥 哲; 東盛 裕一; 近藤 進; 野口 悦男; 赤淵 忠之 | |
| 1999-03-30 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP1999087844A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光結合回路及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 大きなサイドエッチングによる光結合面の窪み或いは突起状の形状による光学的、形状的な問題を解決するにある。 【解決手段】 InxGa1-xAsyP1-y(0≦x≦1,0≦y≦1)混晶54から構成され、少なくとも一つのコア層58を有する複数の光導波路が、該光導波路の光の導波方向に縦列に接続された光結合回路において、少なくとも一つの光導波路がInxGayAlzAs1-y-z(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)混晶を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉本 直人,川口 悦弘,奥 哲,等. 半導体光結合回路及びその製造方法. JP1999087844A. 1999-03-30. |
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