| 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法 | |
| 徐雨萌; 薄报学; 高欣; 乔忠良; 张晶; 李辉 | |
| 2017-10-20 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN107275921A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法 |
| 英文摘要 | 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。 |
| 公开日期 | 2017-10-20 |
| 申请日期 | 2017-06-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63761]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐雨萌,薄报学,高欣,等. 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法. CN107275921A. 2017-10-20. |
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