低成本DFB激光器制作方法

	低成本DFB激光器制作方法
	刘文; 王定理; 周宁; 孙飞; 黄德修
	2007-07-18
著作权人	武汉光迅科技股份有限公司
专利号	CN101001001A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	低成本DFB激光器制作方法
英文摘要	一种低成本DFB激光器制作方法，该半导体激光器由在InP基底上依次生长上的下包层、下波导层、有源层、上波导层以及上包层和电极接触层组成，在基底和电极接触层上分别有金属电极，在上波导层或者下波导层上存在DFB光栅结构，其特征在于：所述DFB光栅结构采用纳米压印技术制作。可以是具有任意相移结构的光栅，或者是具有任意取样结构的光栅。本方法可制作具有均匀周期光栅结构的激光器芯片，还可在同一外延片上制作出不同波长的DFB激光器芯片系列，或者在同一芯片上制作出多波长的DFB激光器阵列。具有制作成本低，生产效率高以及光栅分辨率高的特点。
公开日期	2007-07-18
申请日期	2006-12-20
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63451]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘文,王定理,周宁,等. 低成本DFB激光器制作方法. CN101001001A. 2007-07-18.