半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置
山路 太平; 多賀谷 直大; 須田 修平
2010-02-18
著作权人SEIWA ELECTRIC MFG CO LTD
专利号JP2010040937A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置
英文摘要【課題】従来よりも効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。 【解決手段】基板1表面には、アンドープGaN層2、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5がこの順に積層した半導体層30を形成してある。半導体層30の一部には、p型半導体層5及び活性層4をエッチングなどにより除去して露出したn型半導体層3の表面にオーミック電極9を形成してある。基板1上にボンディング電極(nパッド)7を形成してあり、ボンディング電極7は、オーミック電極9を覆うようにして延設され、オーミック電極9に接続してある。半導体層30の他の一部の側面には、半導体層30の外周側面を被覆する被覆膜11を形成してあり、被覆膜11が形成された半導体層30の近傍には、基板1上にボンディング電極(pパッド)8を形成してある。 【選択図】図2
公开日期2010-02-18
申请日期2008-08-07
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61518]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SEIWA ELECTRIC MFG CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
山路 太平,多賀谷 直大,須田 修平. 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置. JP2010040937A. 2010-02-18.
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