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	Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon
	SIRIANI, DOMINIC F.; ANDERSON, SEAN P.; PATEL, VIPULKUMAR
	2019-09-05
著作权人	CISCO TECHNOLOGY, INC.
专利号	US20190273356A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon
英文摘要	An apparatus, comprising: a silicon substrate; and a quantum dot laser comprising: a base layer of a III-V semiconductor material, bonded with the silicon substrate; and at least one layer grown epitaxially from the base layer, wherein the at least one layer comprises a quantum dot layer. The apparatus further comprises a photonic element, fabricated on the silicon substrate and including a waveguide optically aligned with the quantum dot layer.
公开日期	2019-09-05
申请日期	2018-03-02
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57703]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CISCO TECHNOLOGY, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	SIRIANI, DOMINIC F.,ANDERSON, SEAN P.,PATEL, VIPULKUMAR. Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon. US20190273356A1. 2019-09-05.

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