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	基于超表面的单片集成面发射半导体激光器及其制备方法
	夏金松; 崔成聪; 曾成; 袁帅
	2018-12-11
著作权人	华中科技大学
专利号	CN108988123A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	基于超表面的单片集成面发射半导体激光器及其制备方法
英文摘要	本发明公开了一种基于超表面微纳结构的单片集成面发射半导体激光器，将超表面微纳结构与半导体激光器有源介质相结合，当有源区有源物质发光时能够激发介质超表面内部谐振单元的集群性相干振荡，这种局域振荡具有高的光场束缚能力，能为有源层提供正反馈实现激射。同时通过对超表面微纳的结构进行优化设计，可以控制出射光束的远场分布特征，如方向角度、相位、偏振、模式等。该激光器结构包括衬底、低折射率层、有源层和超表面微纳结构，其制备方法包括光场限制层、增益介质及基于超表面结构的设计与制备。通过本发明能够将光场强烈局域在近场，通过结构单元的排布方式等调控其远场分布，并可以直接调控光场。
公开日期	2018-12-11
申请日期	2018-07-26
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57206]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	夏金松,崔成聪,曾成,等. 基于超表面的单片集成面发射半导体激光器及其制备方法. CN108988123A. 2018-12-11.

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