| 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法 | |
| 王健; 王雅琼; 孙长征; 熊兵; 罗毅; 郝智彪; 韩彦军; 汪莱; 李洪涛 | |
| 2018-11-13 | |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 专利号 | CN108808442A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。 |
| 公开日期 | 2018-11-13 |
| 申请日期 | 2018-06-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57110]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王健,王雅琼,孙长征,等. 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法. CN108808442A. 2018-11-13. |
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