| 一次外延生长双波长半导体激光器 | |
| 王海珠; 侯春鸽; 范杰; 邹永刚; 马晓辉; 李洋; 赵鑫; 张贺; 王小龙 | |
| 2018-06-12 | |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 专利号 | CN108155561A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一次外延生长双波长半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一次外延生长双波长半导体激光器，其包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底。泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔激光器的激射，从而实现了集成垂直腔双波长激射，使得双波长激光从集成垂直腔的上下两个方向出射，所述集泵浦光垂直腔、被激发垂直腔为一次外延生长形成。 |
| 公开日期 | 2018-06-12 |
| 申请日期 | 2018-01-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56820]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海珠,侯春鸽,范杰,等. 一次外延生长双波长半导体激光器. CN108155561A. 2018-06-12. |
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