一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法
庞晓露; 杨杨; 高克玮; 杨会生; 徐秋发; 李东东; 童海生
2018-05-15
著作权人北京科技大学
专利号CN108034928A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法
英文摘要本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品,薄膜样品要求在横向上成分梯度分布,在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热,激光采用线扫的方式自上向下扫描,激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同,热处理工艺参数不同,横向上成分不同,热处理工艺参数相同,因此可以研究成分‑组织对性能的影响。
公开日期2018-05-15
申请日期2017-12-04
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56761]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
庞晓露,杨杨,高克玮,等. 一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法. CN108034928A. 2018-05-15.
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