半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法
胡海; 何晋国; 汪卫敏
2018-04-13
著作权人深圳瑞波光电子有限公司
专利号CN107910748A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法
英文摘要本发明公开了一种半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法,半导体激光器巴条,包括:第一型衬底;设置在第一型衬底上的外延层,外延层相对于第一型衬底的表面形成有多个半导体激光器电流注入区,其中多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布;及设置在相邻半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间的隔离槽;其中,至少部分隔离槽为不规则结构。通过以上方式,本发明能够避免侧面激射现象,以及防止激光器单管侧面解理缺陷向电流注入区延伸导致器件失效问题。
公开日期2018-04-13
申请日期2017-10-30
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56715]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位深圳瑞波光电子有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
胡海,何晋国,汪卫敏. 半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法. CN107910748A. 2018-04-13.
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