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	砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
	赵永超; 米洪龙; 李小兵; 郭永瑞; 关永莉; 陈宇星; 王琳
	2017-12-26
著作权人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
专利号	CN107516818A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法
英文摘要	本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器的腔面钝化方法包括：在高真空条件下，以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+，等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min，以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+，混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应，5‑10min后形成阻挡层；在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜，采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性，保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性，并延长砷化镓激光器的寿命。
公开日期	2017-12-26
申请日期	2017-09-21
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56561]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵永超,米洪龙,李小兵,等. 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法. CN107516818A. 2017-12-26.

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