| 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 | |
| 尚林; 许并社; 马淑芳; 单恒升; 郝晓东; 黄佳瑶; 邢茹萍 | |
| 2019-08-23 | |
| 著作权人 | 陕西科技大学 |
| 专利号 | CN110165551A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法，采用离子束刻蚀方法对垂直腔面发射激光器的DBR层中低折射率层进行介孔刻蚀，从而提高组成DBR两层折射率差，该方法操作简单，控制精准，能够保证获得介孔的尺度和精度，能够实现高反射率的同时，降低DBR的周期数。具体在纳米阵列器件制备过程中，采用了聚焦离子束切割设备对芯片进行了直接选区刻蚀，利用了聚焦离子束切割设备的优势，相对于干法刻蚀技术，减少了蒸镀保护层，能够避免干法刻蚀精度差所引起的损伤，而离子束刻蚀导致的辐照损伤也可以通过湿法腐蚀去除。本发明方法简单可控，能够保证获得介孔的尺度和精度，实现高反射率，低周期数的DBR。 |
| 公开日期 | 2019-08-23 |
| 申请日期 | 2019-06-03 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55475]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚林,许并社,马淑芳,等. 一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法. CN110165551A. 2019-08-23. |
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