| 电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序 | |
| S·D·A·桑达纳亚卡; 松岛敏则; F·本切克; 合志宪一; J-C·里贝里; 安达千波矢; 藤原隆 | |
| 2019-05-21 | |
| 著作权人 | 国立大学法人九州大学 |
| 专利号 | CN109792134A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。 |
| 公开日期 | 2019-05-21 |
| 申请日期 | 2018-02-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国立大学法人九州大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S·D·A·桑达纳亚卡,松岛敏则,F·本切克,等. 电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序. CN109792134A. 2019-05-21. |
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