| 硅光子学中的III-V芯片制备和集成 | |
| 达米安·兰贝特 | |
| 2019-03-01 | |
| 著作权人 | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 专利号 | CN109417266A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅光子学中的III-V芯片制备和集成 |
| 英文摘要 | 通过将III‑V晶片固定到转移晶片来制造复合半导体激光器。去除III‑V晶片的衬底，并且将该III‑V晶片刻蚀成多个芯片，同时将该III‑V晶片固定到转移晶片。将该转移晶片单片化。该转移晶片的一部分用作手柄，用于将芯片键合在硅器件的凹槽中。该芯片用作半导体激光器的增益介质。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2017-05-11 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55032]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 斯考皮欧技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 达米安·兰贝特. 硅光子学中的III-V芯片制备和集成. CN109417266A. 2019-03-01. |
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