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	三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器结构及其制作方法
	黎华; 朱永浩; 曹俊诚
	2019-05-10
著作权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
专利号	CN106877174B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器结构及其制作方法
英文摘要	本发明提供一种三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器结构及其制作方法，所述结构包括衬底、脊波导区以及三阶光栅结构；所述脊波导区自下而上依次包括下电极、夹层区及上电极；所述夹层区自下而上依次包括下接触层、有源区及上接触层；所述三阶光栅结构包括若干呈周期性排列的平行缝隙，所述缝隙上下贯穿上电极及夹层区；所述三阶光栅结构的纵向占空比范围是8%‑15%；太赫兹波在有源区内产生，并通过三阶光栅结构的选模作用，从缝隙处出射，在空间中耦合到脊波导区的纵向两端。本发明在太赫兹量子级联激光器的波导结构中引入了三阶光栅，并通过调整不同的光栅占空比以获得比较小的远场发散角，克服了三阶光栅因为相位不匹配而存在的远场发散角偏大的问题。
公开日期	2019-05-10
申请日期	2017-04-25
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49384]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黎华,朱永浩,曹俊诚. 三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器结构及其制作方法. CN106877174B. 2019-05-10.

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