| 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法 | |
| 罗睿宏; 梁智文; 张国义 | |
| 2019-03-26 | |
| 著作权人 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 专利号 | CN106910807B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法，包括硅衬底和制备在该硅衬底上的氮化铝层，利用波长小于或者等于250nm的激光在氮化铝层上按照预设路径加工若干个几何图形形成图形化氮化铝层，该图形化氮化铝层为单层或者多层的单晶或者准单晶。本发明为选区外延生长提供了种子层实现选区生长，降低了大尺寸氮化物Si材料的应力，以及对提高晶体质量有较好的效果。 |
| 公开日期 | 2019-03-26 |
| 申请日期 | 2017-03-09 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49375]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗睿宏,梁智文,张国义. 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法. CN106910807B. 2019-03-26. |
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