高耦合效率电注入集成硅基激光器

	高耦合效率电注入集成硅基激光器
	刘磊; 肖希; 王磊; 邱英; 李淼峰; 陈代高; 杨奇; 余少华
	2019-02-05
著作权人	武汉邮电科学研究院
专利号	CN105305229B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	高耦合效率电注入集成硅基激光器
英文摘要	本发明公开了高耦合效率电注入集成硅基激光器，为叠层结构，包括：硅衬底、绝缘层、大模斑半导体有源芯片、顶层硅和低折射率层，硅衬底的上表面设有常规部和经过刻蚀的刻蚀部，绝缘层设置在硅衬底的常规部上；大模斑半导体有源芯片设置在硅衬底的刻蚀部上；顶层硅设置在绝缘层的上表面；低折射率层设置在顶层硅上表面的靠近所述大模斑半导体有源芯片的一侧。本发明，具有直接高效输出单模激光的优点，且结构紧凑，工艺简单，效率高，稳定性高，可商用化，在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。
公开日期	2019-02-05
申请日期	2015-12-04
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49351]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘磊,肖希,王磊,等. 高耦合效率电注入集成硅基激光器. CN105305229B. 2019-02-05.