等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法 | |
钟旭; 佘敏敏; 黄军伟; 宋赣祥 | |
2018-12-11 | |
著作权人 | 上海电机学院 |
专利号 | CN105406357B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法。本发明的产生表面等离激元光子的方法包括:在介质层表面制备一层石墨烯,作为表面等离激元传播载体;在石墨烯上制备一层半导体层,从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层,以限制表面等离激元模式;在半导体层内部形成一层半导体量子点;利用外部激光照射半导体层,使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。 |
公开日期 | 2018-12-11 |
申请日期 | 2015-12-10 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49337] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 上海电机学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟旭,佘敏敏,黄军伟,等. 等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法. CN105406357B. 2018-12-11. |
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