| 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 | |
| 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺 | |
| 2018-10-26 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN105811243B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上；一非掺杂上波导层制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型限制层制作在非掺杂上波导层上；一p型GaN层制作在p型限制层上。本发明是通过引入多层In组分渐增的InGaN应力调控波导层，在增加GaN基绿光激光器光场限制因子的同时降低绿光量子阱的应力。另外，采用氮氢混合载气生长并处理InGaN波导层表面，改善波导层的表面质量，提高绿光激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2018-10-26 |
| 申请日期 | 2016-03-28 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49327]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,陈平,等. 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法. CN105811243B. 2018-10-26. |
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