| 利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法 | |
| 冯国英; 王树同; 杨超; 周寿桓 | |
| 2017-11-28 | |
| 著作权人 | 四川大学 |
| 专利号 | CN104505709B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法 |
| 英文摘要 | 本发明所述利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法：(1)将基底材料固定在电控平移台上，将飞秒脉冲激光经显微物镜聚焦后辐照到基底材料的面或内部，并按照设计好的微流道图案进行可控辐照，在基底材料中写入所设计的微流道图案；(2)微流道的制备，采用辅助湿法腐蚀法。(3)将块状掺杂激光材料粉碎并研磨成粉末后，分散到蒸馏水中，并将分散有掺杂激光材料的蒸馏水置于透明容器中，在搅拌下利用飞秒脉冲激光经聚焦后直接辐照消融，直至得到掺杂纳米晶材料；(4)微流道掺杂纳米晶激光器的制备。本发明方法制备的激光器输出方向可控性强，可作为集成光学芯片的光源。 |
| 公开日期 | 2017-11-28 |
| 申请日期 | 2014-12-12 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48303]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 四川大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯国英,王树同,杨超,等. 利用飞秒脉冲激光制备微流道掺杂纳米晶激光器的方法. CN104505709B. 2017-11-28. |
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