| 混合垂直腔激光器 | |
| 郑一淑 | |
| 2014-12-10 | |
| 著作权人 | 丹麦科技大学 |
| 专利号 | CN102388513B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 混合垂直腔激光器 |
| 英文摘要 | 本发明为硅平台(3)上的光回路提供光源(2)。垂直激光腔由布置在顶部镜(4)与衬底上硅层(10)中光栅区(11)内的底部光栅镜(12)之间的增益区(101)形成。用于接受来自光栅区(11)的光的波导(18，19)在光栅区内部形成或与之连接，并且作为VCL的输出耦合器发挥作用。因此，垂直激射模(16)耦合于该硅层中所形成的面内波导的横向面内模(17，20)，并且光可以提供至例如硅中的SOI或CMOS衬底上的光子回路。 |
| 公开日期 | 2014-12-10 |
| 申请日期 | 2010-01-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48278]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丹麦科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑一淑. 混合垂直腔激光器. CN102388513B. 2014-12-10. |
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