波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法
刘国利; 王圩; 张静媛
2004-06-09
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN1153320C
国家中国
文献子类授权发明
其他题名波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法
英文摘要本发明是在EML的激光器脊型波导的一侧制作一金属薄膜加热器,改变加热器的工作电流可以改变激光器的工作温度因而改变EML的波长;同时在DFB激光器的后端加一段相位调制器,改变调相区的工作电流可以改变DFB激光器的反馈光相位,进而改变DFB激光器的阈值工作条件,可实现波长快速调谐的EML。该器件的结构简单,制作方法简单,调谐方法简单。
公开日期2004-06-09
申请日期2001-01-15
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48149]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘国利,王圩,张静媛. 波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法. CN1153320C. 2004-06-09.
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